随着超大规模集成电路的发展、集成度的不断提高、线宽的不断减小，对硅片表面的洁净度及表面态的要求越来越高，对硅片清洗技术也越(yue)(yue)来越(yue)(yue)高(gao)。要(yao)得到高(gao)质量(liang)的半(ban)导体(ti)器件，仅仅除(chu)去硅片表面的沾污已不再是最终的要(yao)求(qiu)。在(zai)清(qing)洗过程中造成的表面化学态、氧化膜厚(hou)度(du)、表面粗糙度(du)等已成为同样重(zhong)要(yao)的参数(shu)。

目前，通(tong)常(chang)应用的清(qing)(qing)洗方法是湿式化学清(qing)(qing)洗法，即利用有机溶(rong)剂、碱性(xing)溶(rong)液(ye)、酸性(xing)溶(rong)液(ye)、表面(mian)(mian)活性(xing)剂等化学试剂，配合(he)兆声(sheng)、超声(sheng)、加(jia)热等物理(li)措施(shi)，使有机物、颗粒(li)、金(jin)属等沾污(wu)脱(tuo)离硅片表面(mian)(mian)，然后(hou)用大量的去离子水(shui)冲洗，获得洁净的硅片表面(mian)(mian)的清(qing)(qing)洗方法。

沉积在硅(gui)(gui)片表面的粒子、金属(shu)、有(you)机物、湿气分子和(he)自然氧化膜的一种(zhong)或几种(zhong)而形成了硅(gui)(gui)片表面沾(zhan)污(wu);因为有(you)机物会遮盖(gai)部分硅(gui)(gui)片表面，使氧化层和(he)与之相(xiang)关的沾(zhan)污(wu)难以去除(chu)。

在湿(shi)式清洗(xi)(xi)工艺(yi)中，硅片表(biao)面都有一层化学氧(yang)化膜，这层氧(yang)化膜是主要的(de)(de)沾污源。如果没有这层氧(yang)化膜可大(da)大(da)降(jiang)(jiang)低金(jin)属(shu)、有机物等(deng)沾污。可用(yong)HF清洗(xi)(xi)或简化常规工艺(yi)后(hou)最后(hou)用(yong)HF清洗(xi)(xi)，可通过降(jiang)(jiang)低与周围环境(jing)的(de)(de)接触来(lai)获得一个(ge)理想的(de)(de)钝化表(biao)面，减少颗粒吸附在敏感的(de)(de)疏水性表(biao)面上。这就对清洗(xi)(xi)工艺(yi)设备提出了多方面的(de)(de)要求。

目前的硅片清洗技术设备，则是将所有的清(qing)洗(xi)工(gong)艺步骤(清(qing)洗(xi)和干燥(zao))结合在一(yi)个工(gong)艺槽中，大大地(di)减少了硅片与空气的接触。将HF作为最后一(yi)道(dao)清(qing)洗(xi)液，采(cai)用(yong)(yong)(yong)了标准(zhun)的刻蚀(采(cai)用(yong)(yong)(yong)了使用(yong)(yong)(yong)HF/HNO3, KOH, H3PO4, BOE, DHF, SPM, SOM等)，表面也不(bu)存在水印(yin)，清(qing)洗(xi)效果非常(chang)好。

伴随着(zhe)硅(gui)片(pian)的(de)大(da)直径化(hua)，器件结构的(de)超微小(xiao)化(hua)、高(gao)集成化(hua)，对(dui)硅(gui)片(pian)的(de)洁净(jing)程(cheng)度、表面(mian)的(de)化(hua)学态(tai)、微粗糙度、氧(yang)化(hua)膜厚(hou)度等(deng)表面(mian)状态(tai)的(de)要(yao)求越来(lai)越高(gao)。同时，要(yao)求用(yong)更(geng)(geng)经济的(de)、给环境带来(lai)更(geng)(geng)少(shao)污染的(de)工艺获得(de)更(geng)(geng)高(gao)性能(neng)的(de)硅(gui)片(pian)。

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